Фототири'стор, тиристор , перевод которого в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. При освещении Ф. в полупроводнике генерируются парные носители заряда (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем электронно-дырочных переходов (см. Фотоэдс ). В результате через р – n -переходы начинают протекать токи (фототоки), играющие роль токов управления.

  Конструктивно Ф. представляет собой светочувствительный монокристалл с р–n–р–n -cтруктурой, обычно из кремния , расположенный на медном основании и закрытый герметичной крышкой с прозрачным для света окном. Наибольшее распространение получили конструкции с освещаемым n -эмиттером и с освещаемой р -базой.

  Пригодные для управления Ф. источники излучения – электрические лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, светоизлучательные диоды, квантовые генераторы и др. Величина светового потока, необходимого для перевода Ф. в состояние с высокой проводимостью, характеризует чувствительность прибора; она определяется спектральным составом излучения, коэффициентом отражения и поглощения монокристалла, а также заданными значениями электрических параметров Ф.: напряжением переключения, скоростью нарастания прямого напряжения и т.д.

  Современные Ф. изготовляют на токи от нескольких ма до 500 а и напряжения от нескольких десятков в до 3 кв. Мощность управляющего светового излучения (при длине волны 0,9 мкм ) порядка 1–102 мвт. Ф. находят применение в различных устройствах автоматического управления и защиты, а также в мощных высоковольтных преобразовательных устройствах,

  В. М. Курцин.