Параметри'ческий полупроводнико'вый дио'д, полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости ёмкости р-n -перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях П. п. д. используют в качестве элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n -перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на П. п. д. подаётся постоянное обратное смещение (обычно — 0,3—2,0 в ) и два переменных СВЧ (до нескольких сотен Ггц ) сигнала — от генератора накачки и усиливаемый. П. п. д. отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить ёмкость П. п. д. в рабочей точке C 0 и постоянную времени диода ts = r s • C 0 , где r s — суммарное сопротивление объёма П. п. д., примыкающего к р-n- переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения U доп на диоде. П. п. д. изготавливают чаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения основных параметров П. п. д., выпускаемых в СССР и за рубежом: C 0 =0,01— 2 пф , ts = 0,1—2 nceк , U доп = 6—10 в и диапазон рабочих температур 4—350 К.

  Лит.: Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов, М., 1965; СВЧ— полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972.

  И. Г. Васильев.